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GBU8M-E3/51

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규격

제품 모델

GBU8M-E3/51
제조업체 / 브랜드

Electro-Films (EFI) / Vishay
재고 수량

유품
기술

DIODE GPP 8A 1000V GPP INLINE
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.GBU8M-E3/51.pdf
2.GBU8M-E3/51.pdf
전압 - 피크 역 (최대)

1kV
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1V @ 8A
과학 기술

Standard
제조업체 장치 패키지

GBU
연속

-
포장

Bulk
패키지 / 케이스

4-SIP, GBU
다른 이름들

GBU8M-E3/51-ND
GBU8M-E3/51GI
GBU8ME351
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

46 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Single Phase
상세 설명

Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
전류 - 누설 Vr에서 역방향

5µA @ 1000V
전류 - 평균 정류 (Io)

3.9A
기본 부품 번호

GBU8M

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기술: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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GBU8M

기술: DIODE BRIDGE 1000V 8A GBU

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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GBUE2560-M3/P

기술: 25A,600V,LOW VF,INLINE BRIDGE

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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GBU8J-E3/51

기술: DIODE GPP 8A 600V GPP INLINE GBU

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: RECT BRIDGE GPP 8A 800V GBU

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: RECT BRIDGE GPP 8A 1000V GBU

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)

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기술: RECTIFIER BRIDGE 8A 800V GBU

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division

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GBU8M

기술: RECT BRIDGE GPP 8A 1000V GBU

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

GBU8K-E3/51

기술: DIODE GPP 8A 800V GPP INLINE GBU

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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GBU8J-BP

기술: RECT BRIDGE GPP 8A 600V GBU

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)

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GBU8J-E3/45

기술: RECTIFIER BRIDGE 8A 600V GBU

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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GBU8M-E3/45

기술: RECT SINGLE PHASE BRIDGE 4SIP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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GBU8M-M3/45

기술: BRIDGE RECT GPP 8A 1000V GBU

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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GBU8K

기술: DIODE BRIDGE 800V 8A GBU

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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GBU8M-M3/51

기술: BRIDGE RECT GPP 8A 1000V GBU

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: BRIDGE RECT GPP 8A 600V GBU

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