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3508154GL41THE3/96 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

GL41THE3/96

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규격
  • 제품 모델
    GL41THE3/96
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.GL41THE3/96.pdf
    2.GL41THE3/96.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.2V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    1300V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-213AB
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    SUPERECTIFIER®
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 1300V 1A Surface Mount DO-213AB
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 1300V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    8pF @ 4V, 1MHz
  • 기본 부품 번호
    GL41T

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GL41M-E3/97

GL41M-E3/97

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL480

GL480

기술: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GL41KHE3/97

GL41KHE3/97

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41YHE3/96

GL41YHE3/96

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41YHE3/97

GL41YHE3/97

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41MHE3/96

GL41MHE3/96

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41Y-E3/96

GL41Y-E3/96

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL453E00000F

GL453E00000F

기술: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GL4800

GL4800

기술: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GL41T-E3/1

GL41T-E3/1

기술: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41Y-E3/97

GL41Y-E3/97

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41MHE3/97

GL41MHE3/97

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41THE3/97

GL41THE3/97

기술: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41M-E3/96

GL41M-E3/96

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41M/54

GL41M/54

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41Y/1

GL41Y/1

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
GL4800E0000F

GL4800E0000F

기술: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GL41T-E3/97

GL41T-E3/97

기술: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41KHE3/96

GL41KHE3/96

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41T-E3/96

GL41T-E3/96

기술: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
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