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4155101IRF730PBF 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

IRF730PBF

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규격
  • 제품 모델
    IRF730PBF
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.IRF730PBF.pdf
    2.IRF730PBF.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220AB
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1 Ohm @ 3.3A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    74W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 다른 이름들
    *IRF730PBF
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    700pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    400V
  • 상세 설명
    N-Channel 400V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    5.5A (Tc)

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IRF7313PBF

IRF7313PBF

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제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
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IRF730ASTRL

IRF730ASTRL

기술: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IRF730L

IRF730L

기술: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
IRF730STRR

IRF730STRR

기술: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

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RFQ
IRF730STRL

IRF730STRL

기술: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
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IRF730STRLPBF

IRF730STRLPBF

기술: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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IRF7311TRPBF

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기술: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRF7311PBF

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기술: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IRF730ASTRRPBF

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기술: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

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IRF730ASPBF

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기술: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

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IRF7311TR

IRF7311TR

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IRF730AS

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