Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > IRF9Z10
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
2701849IRF9Z10 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

IRF9Z10

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1000+
$1.787
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IRF9Z10
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220AB
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    500 mOhm @ 4A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    43W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 다른 이름들
    *IRF9Z10
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    13 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    270pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    P-Channel 60V 6.7A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    6.7A (Tc)
IRF9Z14

IRF9Z14

기술: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IRF9956TR

IRF9956TR

기술: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IRF9956TRPBF

IRF9956TRPBF

기술: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IRF9956

IRF9956

기술: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IRF9952TR

IRF9952TR

기술: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IRF9Z14S

IRF9Z14S

기술: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IRF9Z14STRLPBF

IRF9Z14STRLPBF

기술: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IRF9Z14STRL

IRF9Z14STRL

기술: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IRF9952TRPBF

IRF9952TRPBF

기술: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IRF9953TRPBF

IRF9953TRPBF

기술: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IRF9Z14L

IRF9Z14L

기술: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IRF9953

IRF9953

기술: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IRF9Z10PBF

IRF9Z10PBF

기술: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IRF9Z14LPBF

IRF9Z14LPBF

기술: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IRF9953TR

IRF9953TR

기술: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IRF9Z14STRR

IRF9Z14STRR

기술: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IRF9Z14SPBF

IRF9Z14SPBF

기술: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IRF9953PBF

IRF9953PBF

기술: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IRF9956PBF

IRF9956PBF

기술: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IRF9Z14PBF

IRF9Z14PBF

기술: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오