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4869076IRFBC40APBF 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFBC40APBF

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규격
  • 제품 모델
    IRFBC40APBF
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.IRFBC40APBF.pdf
    2.IRFBC40APBF.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220AB
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    125W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 다른 이름들
    *IRFBC40APBF
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1036pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 6.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    6.2A (Tc)

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기술: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
IRFBC40

IRFBC40

기술: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IRFBC30STRR

IRFBC30STRR

기술: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

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유품
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IRFBC30LPBF

IRFBC30LPBF

기술: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262

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IRFBC40AS

IRFBC40AS

기술: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

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RFQ
IRFBC40ASPBF

IRFBC40ASPBF

기술: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

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RFQ
IRFBC30STRLPBF

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기술: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

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IRFBC40LCL

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기술: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262

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IRFBC40ASTRL

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기술: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

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RFQ
IRFBC40L

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IRFBC40LC

IRFBC40LC

기술: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB

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IRFBC30PBF

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IRFBC40AL

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IRFBC30STRL

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IRFBC30S

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