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6591356IRFBE30SPBF 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFBE30SPBF

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규격
  • 제품 모델
    IRFBE30SPBF
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IRFBE30SPBF.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    D2PAK
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    3 Ohm @ 2.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    125W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 다른 이름들
    *IRFBE30SPBF
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1300pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    78nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    800V
  • 상세 설명
    N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    4.1A (Tc)

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IRFBF20SPBF

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기술: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
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IRFBE30L

IRFBE30L

기술: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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IRFBF20LPBF

IRFBF20LPBF

기술: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

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IRFBF20L

IRFBF20L

기술: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

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IRFBE20STRL

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기술: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

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IRFBE30S

IRFBE30S

기술: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

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IRFBE20STRR

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기술: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

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유품
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IRFBE30STRL

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기술: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

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기술: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

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기술: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB

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IRFBE30PBF

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기술: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

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IRFBF20S

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기술: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

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기술: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

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