Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

*회사명
*이름
*제목

*이메일 주소
*전화 번호

*국가
*접촉 창
*이벤트 날짜

*메시지

Electronica 2024의 방문자

당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.

집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > IRFI624GPBF

RFQs/주문 (0)

한국의

한국의

2971675

IRFI624GPBF 이미지

Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFI624GPBF

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

온라인 문의

규격

제품 모델

IRFI624GPBF
제조업체 / 브랜드

Electro-Films (EFI) / Vishay
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

IRFI624GPBF.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

4V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-220-3
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

1.1 Ohm @ 2A, 10V
전력 소비 (최대)

30W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
다른 이름들

*IRFI624GPBF
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

260pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

250V
상세 설명

N-Channel 250V 3.4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A (Tc)

관련 뉴스
배송
지불 방법

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일

배송

지불

다음은 "IRFI624GPBF"관련 제품입니다.

IRFI610G

기술: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI634G

기술: MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI634GPBF

기술: MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI620GPBF

기술: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI644GPBF

기술: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI640G

기술: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI540NPBF

기술: MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

IRFI624G

기술: MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI630GPBF

기술: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI614G

기술: MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI540GPBF

기술: MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix

유품

IRFI620G

기술: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI720G

기술: MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI644G

기술: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI710G

기술: MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI620

기술: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI614GPBF

기술: MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI640GPBF

기술: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI540G

기술: MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

IRFI630G

기술: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.

팔로우

이용 약관 침해 정책 조회를 요청하다 우리에 대해 문의하기 사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.