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3689801NSB8DTHE3_A/P 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

NSB8DTHE3_A/P

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  • 제품 모델
    NSB8DTHE3_A/P
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    NSB8DTHE3_A/P.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 8A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    200V
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-263AB
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 200V 8A Surface Mount TO-263AB
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 200V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    8A
  • VR, F @ 용량
    55pF @ 4V, 1MHz

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기술: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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NSB8BTHE3_A/P

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기술: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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NSB8JT-E3/81

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
NSB8DT-E3/81

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기술: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
NSB8GTHE3/45

NSB8GTHE3/45

기술: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
NSB8BTHE3/45

NSB8BTHE3/45

기술: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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NSB8JTHE3_A/I

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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NSB8JT-E3/45

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

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NSB8JTHE3/81

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

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NSB8DTHE3/81

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기술: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

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NSB8JTHE3/45

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기술: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

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NSB8GT-E3/81

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NSB8DTHE3/45

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