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1056070RS1JHE3_A/I 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

RS1JHE3_A/I

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규격
  • 제품 모델
    RS1JHE3_A/I
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RS1JHE3_A/I.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.3V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AC (SMA)
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 역 회복 시간 (trr)
    250ns
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AC, SMA
  • 다른 이름들
    RS1JHE3_A/IGICT
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    7pF @ 4V, 1MHz
  • 기본 부품 번호
    RS1J

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RS1JFS MXG

RS1JFS MXG

기술: DIODE, FAST, 1A, 600V

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1JFS MWG

RS1JFS MWG

기술: DIODE

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1JHE3/5AT

RS1JHE3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1JFSHMXG

RS1JFSHMXG

기술: DIODE, FAST, 1A, 600V

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1JFP

RS1JFP

기술: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
RS1JHR3G

RS1JHR3G

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1JFSHMWG

RS1JFSHMWG

기술: DIODE

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1JFA

RS1JFA

기술: DIODE GP 600V 800MA SOD123FA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
RS1JHM2G

RS1JHM2G

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1JL M2G

RS1JL M2G

기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1JL RQG

RS1JL RQG

기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1JL R3G

RS1JL R3G

기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1JL MQG

RS1JL MQG

기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1JL RFG

RS1JL RFG

기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1JL MHG

RS1JL MHG

기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1JL RHG

RS1JL RHG

기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1JL MTG

RS1JL MTG

기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1JDFQ-13

RS1JDFQ-13

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
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