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5669565S1FLG-M-08 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

S1FLG-M-08

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  • 제품 모델
    S1FLG-M-08
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GP 400V 700MA DO219AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    S1FLG-M-08.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    400V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-219AB (SMF)
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    1.8µs
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-219AB
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 400V 700mA Surface Mount DO-219AB (SMF)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    700mA
  • VR, F @ 용량
    4pF @ 4V, 1MHz

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기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
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S1FLJ-GS08

S1FLJ-GS08

기술: DIODE GP 600V 700MA DO219AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1FLD-M-18

S1FLD-M-18

기술: DIODE GP 200V 700MA DO219AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1FLK-M-08

S1FLK-M-08

기술: DIODE GP 800V 700MA DO219AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1FLK-GS18

S1FLK-GS18

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A DO219AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1FLB-GS18

S1FLB-GS18

기술: DIODE GP 100V 700MA DO219AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1FLG-M-18

S1FLG-M-18

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1FLM-GS08

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기술: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB

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유품
RFQ
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S1FLK-GS08

기술: DIODE GP 800V 700MA DO219AB

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기술: DIODE GP 100V 700MA DO219AB

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기술: DIODE GP 600V 700MA DO219AB

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기술: DIODE GP 100V 700MA DO219AB

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