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3766074S1MHE3_A/H 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

S1MHE3_A/H

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45000+
$0.06
90000+
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규격
  • 제품 모델
    S1MHE3_A/H
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.S1MHE3_A/H.pdf
    2.S1MHE3_A/H.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    1000V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AC (SMA)
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q100
  • 역 회복 시간 (trr)
    1.8µs
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AC, SMA
  • 다른 이름들
    S1MHE3_A/H-ND
    S1MHE3_A/HGITR
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 1000V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    12pF @ 4V, 1MHz
  • 기본 부품 번호
    S1M

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S1MFSHMXG

S1MFSHMXG

기술: DIODE, 1A, 1000V, AEC-Q101, SOD-

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1ML MHG

S1ML MHG

기술: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1MFS MXG

S1MFS MXG

기술: DIODE, 1A, 1000V, SOD-128

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1MHE3/5AT

S1MHE3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1MHE3/61T

S1MHE3/61T

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1MFS MWG

S1MFS MWG

기술: DIODE, 1A, 1000V, SOD-128

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1MHM2G

S1MHM2G

기술: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1MFSHMWG

S1MFSHMWG

기술: DIODE, 1A, 1000V, AEC-Q101, SOD-

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1MDF-13

S1MDF-13

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
S1MHE3_A/I

S1MHE3_A/I

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1ML M2G

S1ML M2G

기술: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1MHR3G

S1MHR3G

기술: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1ML RHG

S1ML RHG

기술: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1ML R3G

S1ML R3G

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1ML RFG

S1ML RFG

기술: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1ML MQG

S1ML MQG

기술: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1ML MTG

S1ML MTG

기술: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1MDFQ-13

S1MDFQ-13

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
S1MFL

S1MFL

기술: DIODE GP 1000V 1A SOD123F

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
S1MFP

S1MFP

기술: DIODE GP 1000V 1.2A SOD-123HE

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
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