S8CM-M3/I

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제품 모델

S8CM-M3/I
제조업체 / 브랜드

Electro-Films (EFI) / Vishay
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB
무연 여부 / RoHS 준수 여부
사양서

S8CM-M3/I.pdf
ECAD 모델
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

985mV @ 8A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

1000V
제조업체 장치 패키지

DO-214AB (SMC)
속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
연속

-
역 회복 시간 (trr)

4µs
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC
다른 이름들

S8CM-M3/I-ND
S8CM-M3/IGITR
작동 온도 - 정션

-55°C ~ 150°C
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

53 Weeks
다이오드 유형

Standard
상세 설명

Diode Standard 1000V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC)
전류 - 누설 Vr에서 역방향

10µA @ 1000V
전류 - 평균 정류 (Io)

8A
VR, F @ 용량

79pF @ 4V, 1MHz

다음은 "S8CM-M3/I"관련 제품입니다.

S8CK-M3/I

기술: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RSFBLHR3G

기술: DIODE GEN PURP 100V 500MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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S8CJHM3/I

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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1N4148TR_S00Z

기술: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

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MR754-BP

기술: DIODE GEN 400V 6A LEADED BUTTON

제조업체: Micro Commercial Co

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S8CMHM3/I

기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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GP10Y-E3/54

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO204AL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division

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기술: DIODE SCHOTTKY 100V 5A POWERDI5

제조업체: Microsemi

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SBAS20HT1G

기술: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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S8CJ-M3/I

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RS1JL RVG

기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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기술: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

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기술: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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