Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > SI1012X-T1-E3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
6446128SI1012X-T1-E3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1012X-T1-E3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SI1012X-T1-E3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    900mV @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±6V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SC-89-3
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    700 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    250mW (Ta)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    SC-89, SOT-490
  • 다른 이름들
    SI1012X-T1-E3CT
    SI1012XT1E3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    0.75nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    N-Channel 20V 500mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    500mA (Ta)
SI1013-C-GM2

SI1013-C-GM2

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI1013R-T1-GE3

SI1013R-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1012-A-GMR

SI1012-A-GMR

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI1013-C-GM2R

SI1013-C-GM2R

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1013R-T1-E3

SI1013R-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1011X-T1-GE3

SI1011X-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V SC-89

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1012R-T1-E3

SI1012R-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1013X-T1-E3

SI1013X-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1012-C-GM2

SI1012-C-GM2

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI1012-A-GM

SI1012-A-GM

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI1013-A-GMR

SI1013-A-GMR

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI1012-TP

SI1012-TP

기술: N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1013-A-GM

SI1013-A-GM

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI1012-C-GM2R

SI1012-C-GM2R

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI1011-C-GM2R

SI1011-C-GM2R

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오