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3446260SI1029X-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1029X-T1-GE3

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규격
  • 제품 모델
    SI1029X-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI1029X-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 250µA
  • 제조업체 장치 패키지
    SC-89-6
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.4 Ohm @ 500mA, 10V
  • 전력 - 최대
    250mW
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-563, SOT-666
  • 다른 이름들
    SI1029X-T1-GE3CT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    33 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    30pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    0.75nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N and P-Channel
  • FET 특징
    Logic Level Gate
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    305mA, 190mA
  • 기본 부품 번호
    SI1029

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SI1030-B-GM3R

SI1030-B-GM3R

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유품
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SI1026X-T1-E3

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기술: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI1031-B-GM3

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기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI1027-B-GMR

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기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI1031R-T1-E3

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기술: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1028X-T1-GE3

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기술: MOSFET 2N-CH 30V SC89-6

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SI1027-A-GMR

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SI1027-B-GM3

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