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4726804SI1071X-T1-E3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1071X-T1-E3

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  • 제품 모델
    SI1071X-T1-E3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI1071X-T1-E3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.45V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±12V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SC-89-6
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    167 mOhm @ 960mA, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    236mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-563, SOT-666
  • 다른 이름들
    SI1071X-T1-E3TR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    315pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    13.3nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    2.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    P-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    -

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SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1065-A-GMR

SI1065-A-GMR

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI1073X-T1-GE3

SI1073X-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1065-A-GM

SI1065-A-GM

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI1072X-T1-E3

SI1072X-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1072X-T1-GE3

SI1072X-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V SC89

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1080-A-GMR

SI1080-A-GMR

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1079X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1065X-T1-GE3

SI1065X-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1069X-T1-GE3

SI1069X-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1067X-T1-GE3

SI1067X-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1080-A-GM

SI1080-A-GM

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V SC89-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1067X-T1-E3

SI1067X-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1069X-T1-E3

SI1069X-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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