Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > SI1305EDL-T1-E3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
2918011SI1305EDL-T1-E3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1305EDL-T1-E3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$0.51
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SI1305EDL-T1-E3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    450mV @ 250µA (Min)
  • Vgs (최대)
    ±8V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SC-70-3
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    280 mOhm @ 1A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    290mW (Ta)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    SC-70, SOT-323
  • 다른 이름들
    SI1305EDL-T1-E3CT
    SI1305EDLT1E3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    4nC @ 4.5V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    8V
  • 상세 설명
    P-Channel 8V 860mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    860mA (Ta)
SI1303DL-T1-GE3

SI1303DL-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1315DL-T1-GE3

SI1315DL-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1304BDL-T1-GE3

SI1304BDL-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1300BDL-T1-GE3

SI1300BDL-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1304BDL-T1-E3

SI1304BDL-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1307DL-T1-E3

SI1307DL-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1302DL-T1-GE3

SI1302DL-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1330EDL-T1-E3

SI1330EDL-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1305EDL-T1-GE3

SI1305EDL-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1307EDL-T1-GE3

SI1307EDL-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1303EDL-T1-E3

SI1303EDL-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1307DL-T1-GE3

SI1307DL-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1330EDL-T1-GE3

SI1330EDL-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 60V 240MA SC-70-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1302DL-T1-E3

SI1302DL-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1317DL-T1-GE3

SI1317DL-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1307EDL-T1-E3

SI1307EDL-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1305DL-T1-GE3

SI1305DL-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1303DL-T1-E3

SI1303DL-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1305DL-T1-E3

SI1305DL-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI1308EDL-T1-GE3

SI1308EDL-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오