SI2312BDS-T1-GE3

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제품 모델

SI2312BDS-T1-GE3
제조업체 / 브랜드

Electro-Films (EFI) / Vishay
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

SI2312BDS-T1-GE3.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

850mV @ 250µA
Vgs (최대)

±8V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)
연속

TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

31 mOhm @ 5A, 4.5V
전력 소비 (최대)

750mW (Ta)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들

SI2312BDS-T1-GE3TR
SI2312BDST1GE3
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

33 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

20V
상세 설명

N-Channel 20V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.9A (Ta)

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