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SI2319DDS-T1-GE3

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규격
  • 제품 모델
    SI2319DDS-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CHAN 40V
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI2319DDS-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-23-3 (TO-236)
  • 연속
    TrenchFET® Gen III
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    75 mOhm @ 2.7A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1W (Ta), 1.7W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    SI2319DDS-T1-GE3TR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    650pF @ 20V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    40V
  • 상세 설명
    P-Channel 40V 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    2.7A (Ta), 3.6A (Tc)

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SI2321DS-T1-E3

SI2321DS-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2323CDS-T1-GE3

SI2323CDS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2319DS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2321-TP

SI2321-TP

기술: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2316DS-T1-GE3

SI2316DS-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2323DS-T1

SI2323DS-T1

기술: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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