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SI2367DS-T1-GE3

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유품
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규격
  • 제품 모델
    SI2367DS-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI2367DS-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±8V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-23-3 (TO-236)
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    66 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    960mW (Ta), 1.7W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    SI2367DS-T1-GE3-ND
    SI2367DS-T1-GE3TR
    SI2367DST1GE3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    561pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    23nC @ 8V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    P-Channel 20V 3.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    3.8A (Tc)

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SI2392DS-T1-GE3

SI2392DS-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2399DS-T1-GE3

SI2399DS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2343DS-T1

SI2343DS-T1

기술: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2371EDS-T1-GE3

SI2371EDS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2366DS-T1-GE3

SI2366DS-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2400-BS

SI2400-BS

기술: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI2400-FS

SI2400-FS

기술: IC ISOMODEM SYST-SIDE DAA 16SOIC

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2372DS-T1-GE3

SI2372DS-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 30V SOT23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2351DS-T1-GE3

SI2351DS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2377EDS-T1-GE3

SI2377EDS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
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