Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > SI3451DV-T1-E3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
4549224SI3451DV-T1-E3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3451DV-T1-E3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SI3451DV-T1-E3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±12V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    6-TSOP
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    115 mOhm @ 2.6A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 다른 이름들
    SI3451DV-T1-E3TR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    250pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    5.1nC @ 5V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    2.8A (Tc)
SI3451DV-T1-GE3

SI3451DV-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI3452A-B01-IM

SI3452A-B01-IM

기술: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI3446ADV-T1-GE3

SI3446ADV-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI3452-B01-GM

SI3452-B01-GM

기술: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI3445ADV-T1-E3

SI3445ADV-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI3452-B01-IM

SI3452-B01-IM

기술: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI3445DV-T1-GE3

SI3445DV-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 8V 6-TSOP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI3452-B02-GMR

SI3452-B02-GMR

기술: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI3452A-B02-GM

SI3452A-B02-GM

기술: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI3452A-B02-GMR

SI3452A-B02-GMR

기술: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI3452-B02-GM

SI3452-B02-GM

기술: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI3445ADV-T1-GE3

SI3445ADV-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI3452A-B01-GM

SI3452A-B01-GM

기술: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI3445DV-T1-E3

SI3445DV-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 8V 6-TSOP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI3447CDV-T1-E3

SI3447CDV-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI3447CDV-T1-GE3

SI3447CDV-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI3446ADV-T1-E3

SI3446ADV-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI3447BDV-T1-E3

SI3447BDV-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI3452B-B01-GM

SI3452B-B01-GM

기술: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI3447BDV-T1-GE3

SI3447BDV-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오