Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > SI4056DY-T1-GE3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
4714310

SI4056DY-T1-GE3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$1.09
10+
$0.954
100+
$0.736
500+
$0.545
1000+
$0.436
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SI4056DY-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SO
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    23 mOhm @ 15A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    SI4056DY-T1-GE3DKR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    900pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    29.5nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    N-Channel 100V 11.1A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    11.1A (Tc)
SI4031-B1-FMR

SI4031-B1-FMR

기술: IC TX 240-930MHZ -8-13DB 20QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4060-C2A-GMR

SI4060-C2A-GMR

기술: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4060-C2A-GM

SI4060-C2A-GM

기술: EZ RADIO PRO SUB GHZ TRANSMITTER

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4060-B1B-FMR

SI4060-B1B-FMR

기술: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4055-C2A-GMR

SI4055-C2A-GMR

기술: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4063-B1B-FMR

SI4063-B1B-FMR

기술: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4031-A0-FM

SI4031-A0-FM

기술: IC TX ISM 930MHZ 3.6V 20-QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4048DY-T1-GE3

SI4048DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4063-B0B-FM

SI4063-B0B-FM

기술: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4062DY-T1-GE3

SI4062DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4055-C2A-GM

SI4055-C2A-GM

기술: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4032-B1-FMR

SI4032-B1-FMR

기술: IC TX 240-930MHZ 1-20DB 20QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4060-B1B-FM

SI4060-B1B-FM

기술: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4063-B1B-FM

SI4063-B1B-FM

기술: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4060-B0B-FM

SI4060-B0B-FM

기술: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4032-V2-FM

SI4032-V2-FM

기술: IC TX ISM 930MHZ 3.6V 20-QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4058DY-T1-GE3

SI4058DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4031-B1-FM

SI4031-B1-FM

기술: IC TX 240-930MHZ -8-13DB 20QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4038DY-T1-GE3

SI4038DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8-SO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4032-B1-FM

SI4032-B1-FM

기술: IC TX 240-930MHZ 1-20DB 20QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오