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SI4110DY-T1-GE3

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  • 제품 모델
    SI4110DY-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI4110DY-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SO
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    13 mOhm @ 11.7A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    3.6W (Ta), 7.8W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    SI4110DY-T1-GE3TR
    SI4110DYT1GE3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2205pF @ 40V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    53nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    80V
  • 상세 설명
    N-Channel 80V 17.3A (Tc) 3.6W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    17.3A (Tc)

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SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4102DY-T1-E3

SI4102DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4112-D-GMR

SI4112-D-GMR

기술: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28MLP

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4112-D-GT

SI4112-D-GT

기술: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4104DY-T1-GE3

SI4104DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4112M-EVB

SI4112M-EVB

기술: BOARD EVALUATION FOR SI4112

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4113-D-GM

SI4113-D-GM

기술: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4112-EVB

SI4112-EVB

기술: BOARD EVALUATION FOR SI4112

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4112-D-GTR

SI4112-D-GTR

기술: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3

기술: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4112-BM

SI4112-BM

기술: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4112-BT

SI4112-BT

기술: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4112-D-GM

SI4112-D-GM

기술: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4113-BT

SI4113-BT

기술: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
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