SI4158DY-T1-GE3

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제품 모델

SI4158DY-T1-GE3
제조업체 / 브랜드

Electro-Films (EFI) / Vishay
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

SI4158DY-T1-GE3.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.1V @ 250µA
Vgs (최대)

±16V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

8-SO
연속

TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

2.5 mOhm @ 20A, 10V
전력 소비 (최대)

3W (Ta), 6W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5710pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

132nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

20V
상세 설명

N-Channel 20V 36.5A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36.5A (Tc)

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