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SI4435FDY-T1-GE3

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규격
  • 제품 모델
    SI4435FDY-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI4435FDY-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOIC
  • 연속
    TrenchFET® Gen III
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    19 mOhm @ 9A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    4.8W (Tc)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    SI4435FDY-T1-GE3CT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1500pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    P-Channel 30V 12.6A (Tc) 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    12.6A (Tc)

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SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

기술: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

기술: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

기술: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

기술: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

기술: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
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