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SI4451DY-T1-E3

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유품
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규격
  • 제품 모델
    SI4451DY-T1-E3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI4451DY-T1-E3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    800mV @ 850µA
  • Vgs (최대)
    ±8V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SO
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    8.25 mOhm @ 14A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    1.5W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    33 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    120nC @ 4.5V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    12V
  • 상세 설명
    P-Channel 12V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    10A (Ta)

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SI4455DY-T1-GE3

SI4455DY-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4453DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4455-C2A-GM

SI4455-C2A-GM

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4455-C2A-GMR

SI4455-C2A-GMR

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4448DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4455-B1A-FMR

SI4455-B1A-FMR

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4455DY-T1-E3

SI4455DY-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4451DY-T1-GE3

SI4451DY-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4455-B1A-FM

SI4455-B1A-FM

기술: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
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