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SI4630DY-T1-E3

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규격
  • 제품 모델
    SI4630DY-T1-E3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±16V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SO
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2.7 mOhm @ 20A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    SI4630DY-T1-E3TR
    SI4630DYT1E3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    6670pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    161nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    25V
  • 상세 설명
    N-Channel 25V 40A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    40A (Tc)
SI4634-A10-GM

SI4634-A10-GM

기술: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4631-A10-GM

SI4631-A10-GM

기술: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4629-A10-AM

SI4629-A10-AM

기술: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4626ADY-T1-E3

SI4626ADY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4624-A10-GMR

SI4624-A10-GMR

기술: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4630-A10-GM

SI4630-A10-GM

기술: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4630DY-T1-GE3

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기술: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4629-A10-AMR

SI4629-A10-AMR

기술: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4629-A10-GMR

SI4629-A10-GMR

기술: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4633-A10-GM

SI4633-A10-GM

기술: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4633-A10-GMR

SI4633-A10-GMR

기술: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4629-A10-GM

SI4629-A10-GM

기술: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4632DY-T1-GE3

SI4632DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4632-A10-GM

SI4632-A10-GM

기술: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4632DY-T1-E3

SI4632DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4628DY-T1-GE3

SI4628DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4631-A10-GMR

SI4631-A10-GMR

기술: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4630-A10-GMR

SI4630-A10-GMR

기술: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4626ADY-T1-GE3

SI4626ADY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4632-A10-GMR

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기술: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

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