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SI4660DY-T1-GE3

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  • 제품 모델
    SI4660DY-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI4660DY-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±16V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SO
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    5.8 mOhm @ 15A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    SI4660DY-T1-GE3TR
    SI4660DYT1GE3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2410pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    25V
  • 상세 설명
    N-Channel 25V 23.1A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    23.1A (Tc)

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SI4682-A10-GMR

SI4682-A10-GMR

기술: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4636DY-T1-GE3

SI4636DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4682-A10-GM

SI4682-A10-GM

기술: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4660DY-T1-E3

SI4660DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4646DY-T1-E3

SI4646DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4682DY-T1-GE3

SI4682DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4682DY-T1-E3

SI4682DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4646DY-T1-GE3

SI4646DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4668DY-T1-GE3

SI4668DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4642DY-T1-E3

SI4642DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4638DY-T1-E3

SI4638DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4636DY-T1-E3

SI4636DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4682-A10-GDR

SI4682-A10-GDR

기술: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI4650DY-T1-E3

SI4650DY-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4654DY-T1-E3

SI4654DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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