Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > SI5471DC-T1-GE3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1265069SI5471DC-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5471DC-T1-GE3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
3000+
$0.317
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SI5471DC-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±12V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    1206-8 ChipFET™
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SMD, Flat Lead
  • 다른 이름들
    SI5471DC-T1-GE3TR
    SI5471DCT1GE3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2945pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    96nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    P-Channel 20V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    6A (Tc)
SI5473DC-T1-GE3

SI5473DC-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5457DC-T1-GE3

SI5457DC-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5475DC-T1-GE3

SI5475DC-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5475DC-T1-E3

SI5475DC-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5449DC-T1-GE3

SI5449DC-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5461EDC-T1-E3

SI5461EDC-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5468DC-T1-GE3

SI5468DC-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5463EDC-T1-E3

SI5463EDC-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5459DU-T1-GE3

SI5459DU-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 8A CHIPFET

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5475DDC-T1-GE3

SI5475DDC-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5475BDC-T1-E3

SI5475BDC-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5476DU-T1-E3

SI5476DU-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5475BDC-T1-GE3

SI5475BDC-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5476DU-T1-GE3

SI5476DU-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5456DU-T1-GE3

SI5456DU-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5463EDC-T1-GE3

SI5463EDC-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5461EDC-T1-GE3

SI5461EDC-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5458DU-T1-GE3

SI5458DU-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5479DU-T1-GE3

SI5479DU-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI5473DC-T1-E3

SI5473DC-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오