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1288763SI7100DN-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7100DN-T1-GE3

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  • 제품 모델
    SI7100DN-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI7100DN-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±8V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® 1212-8
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® 1212-8
  • 작동 온도
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    3810pF @ 4V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    105nC @ 8V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    8V
  • 상세 설명
    N-Channel 8V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    35A (Tc)

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SI7060-EVB

SI7060-EVB

기술: SI7060 EVALUATION BOARD

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI7060-B-02-IVR

SI7060-B-02-IVR

기술: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

기술: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI7060-B-01-IV

SI7060-B-01-IV

기술: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI7060-B-02-IV

SI7060-B-02-IV

기술: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7108DN-T1-E3

SI7108DN-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

기술: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7060-B-00-IVR

SI7060-B-00-IVR

기술: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI7060-B-01-IVR

SI7060-B-01-IVR

기술: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI7060-B-00-IV

SI7060-B-00-IV

기술: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7100DN-T1-E3

SI7100DN-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
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