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56237SI7674DP-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7674DP-T1-GE3

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  • 제품 모델
    SI7674DP-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI7674DP-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® SO-8
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    3.3 mOhm @ 20A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    5.4W (Ta), 83W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® SO-8
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    5910pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 40A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    40A (Tc)

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SI7686DP-T1-GE3

SI7686DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7664DP-T1-E3

SI7664DP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7716ADN-T1-GE3

SI7716ADN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7661ESA+

SI7661ESA+

기술: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

제조업체: Maxim Integrated
유품
RFQ
SI7674DP-T1-E3

SI7674DP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7668ADP-T1-E3

SI7668ADP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7668ADP-T1-GE3

SI7668ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7718DN-T1-GE3

SI7718DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7720DN-T1-GE3

SI7720DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7661CSA+T

SI7661CSA+T

기술: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

제조업체: Maxim Integrated
유품
RFQ
SI7726DN-T1-GE3

SI7726DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7682DP-T1-GE3

SI7682DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7703EDN-T1-E3

SI7703EDN-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7703EDN-T1-GE3

SI7703EDN-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7664DP-T1-GE3

SI7664DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7661ESA+T

SI7661ESA+T

기술: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

제조업체: Maxim Integrated
유품
RFQ
SI7682DP-T1-E3

SI7682DP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7661DJ

SI7661DJ

기술: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

제조업체: Maxim Integrated
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SI7661CSA+

SI7661CSA+

기술: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

제조업체: Maxim Integrated
유품
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