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5437323SI7792DP-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7792DP-T1-GE3

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  • 제품 모델
    SI7792DP-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI7792DP-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® SO-8
  • 연속
    SkyFET®, TrenchFET® Gen III
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2.1 mOhm @ 20A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® SO-8
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    4.735nF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    135nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    Schottky Diode (Body)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 40.6A (Ta), 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    40.6A (Ta), 60A (Tc)

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SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7784DP-T1-GE3

SI7784DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7802DN-T1-E3

SI7802DN-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7790DP-T1-GE3

SI7790DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7748DP-T1-GE3

SI7748DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7804DN-T1-GE3

SI7804DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7738DP-T1-GE3

SI7738DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7812DN-T1-E3

SI7812DN-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI7806ADN-T1-E3

SI7806ADN-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
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SI7794DP-T1-GE3

SI7794DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
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SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7802DN-T1-GE3

SI7802DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7774DP-T1-GE3

SI7774DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

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SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

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SI7804DN-T1-E3

SI7804DN-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

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RFQ
SI7738DP-T1-E3

SI7738DP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

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