Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 > SI7911DN-T1-GE3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
6881512SI7911DN-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7911DN-T1-GE3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SI7911DN-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1V @ 250µA
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    51 mOhm @ 5.7A, 4.5V
  • 전력 - 최대
    1.3W
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • 다른 이름들
    SI7911DN-T1-GE3CT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    -
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • FET 유형
    2 P-Channel (Dual)
  • FET 특징
    Logic Level Gate
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.2A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    4.2A
  • 기본 부품 번호
    SI7911
SI7905DN-T1-GE3

SI7905DN-T1-GE3

기술: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7923DN-T1-E3

SI7923DN-T1-E3

기술: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7904DN-T1-GE3

SI7904DN-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7925DN-T1-E3

SI7925DN-T1-E3

기술: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7909DN-T1-E3

SI7909DN-T1-E3

기술: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

기술: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7922DN-T1-E3

SI7922DN-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7922DN-T1-GE3

SI7922DN-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7905DN-T1-E3

SI7905DN-T1-E3

기술: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7911DN-T1-E3

SI7911DN-T1-E3

기술: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7904DN-T1-E3

SI7904DN-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7913DN-T1-E3

SI7913DN-T1-E3

기술: MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7923DN-T1-GE3

SI7923DN-T1-GE3

기술: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7925DN-T1-GE3

SI7925DN-T1-GE3

기술: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7909DN-T1-GE3

SI7909DN-T1-GE3

기술: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7940DP-T1-E3

SI7940DP-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7913DN-T1-GE3

SI7913DN-T1-GE3

기술: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7938DP-T1-GE3

SI7938DP-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오