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SI8851EDB-T2-E1

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  • 제품 모델
    SI8851EDB-T2-E1
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI8851EDB-T2-E1.pdf
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±8V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    Power Micro Foot® (2.4x2)
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    8 mOhm @ 7A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    660mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    30-XFBGA
  • 다른 이름들
    SI8851EDB-T2-E1TR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    6900pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    180nC @ 8V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    P-Channel 20V 7.7A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount Power Micro Foot® (2.4x2)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    7.7A (Ta)
  • 기본 부품 번호
    SI8851

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기술: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

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기술: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

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SI88444EC-ISR

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기술: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

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SI88440EC-IS

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기술: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

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