Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > SIA427ADJ-T1-GE3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3585646SIA427ADJ-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA427ADJ-T1-GE3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
3000+
$0.214
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SIA427ADJ-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    800mV @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±5V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® SC-70-6
  • 다른 이름들
    SIA427ADJ-T1-GE3-ND
    SIA427ADJ-T1-GE3TR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2300pF @ 4V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    50nC @ 5V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    8V
  • 상세 설명
    P-Channel 8V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    12A (Tc)
SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA431DJ-T1-GE3

SIA431DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

제조업체: Vishay Siliconix
유품
SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA430DJ-T1-GE3

SIA430DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA415DJ-T1-GE3

SIA415DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

제조업체: Vishay Siliconix
유품
SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA433EDJ-T1-GE3

SIA433EDJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA438EDJ-T1-GE3

SIA438EDJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오