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2276490SIDR680DP-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SIDR680DP-T1-GE3

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유품
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규격
  • 제품 모델
    SIDR680DP-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 80V
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SIDR680DP-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3.4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® SO-8DC
  • 연속
    TrenchFET® Gen IV
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2.9 mOhm @ 20A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    6.25W (Ta), 125W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® SO-8
  • 다른 이름들
    SIDR680DP-T1-GE3TR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    5150pF @ 40V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    105nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    7.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    80V
  • 상세 설명
    N-Channel 80V 32.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    32.8A (Ta), 100A (Tc)

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SIDR402DP-T1-GE3

SIDR402DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIDC56D60E6X1SA1

SIDC56D60E6X1SA1

기술: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 150V

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIDC59D170HX1SA2

SIDC59D170HX1SA2

기술: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SIDEGIG-GUITAREVM

SIDEGIG-GUITAREVM

기술: EVALUATION MODULE

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
SIDV5545-20

SIDV5545-20

기술: DISPLAY PROGRAMMABLE

제조업체: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.
유품
RFQ
SIDR870ADP-T1-GE3

SIDR870ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 95A SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIDR668DP-T1-GE3

SIDR668DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIDR638DP-T1-GE3

SIDR638DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 100A SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIDC81D60E6X1SA3

SIDC81D60E6X1SA3

기술: DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SIDR140DP-T1-GE3

SIDR140DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIDC85D170HX1SA2

SIDC85D170HX1SA2

기술: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SIDC78D170HX1SA1

SIDC78D170HX1SA1

기술: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 30V

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIDC73D170E6X1SA2

SIDC73D170E6X1SA2

기술: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SIDC81D120E6X1SA4

SIDC81D120E6X1SA4

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SIDC81D120H6X1SA2

SIDC81D120H6X1SA2

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SIDR626DP-T1-GE3

SIDR626DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 60V

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIDC81D120F6X1SA1

SIDC81D120F6X1SA1

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
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