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6675710SIHD6N62ET1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHD6N62ET1-GE3

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유품
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10+
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100+
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500+
$1.06
1000+
$0.837
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규격
  • 제품 모델
    SIHD6N62ET1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
    SIHD6N62ET1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-252AA
  • 연속
    E
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    900 mOhm @ 3A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    78W (Tc)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 다른 이름들
    SIHD6N62ET1-GE3CT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    19 Weeks
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    578pF @ 100V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    620V
  • 상세 설명
    N-Channel 620V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    6A (Tc)

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SIHD9N60E-GE3

SIHD9N60E-GE3

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

기술: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

기술: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3

기술: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

기술: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD4N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3

기술: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

기술: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

제조업체: Vishay Siliconix
유품
RFQ
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

기술: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

기술: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD7N60ET5-GE3

SIHD7N60ET5-GE3

기술: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD3N50D-E3

SIHD3N50D-E3

기술: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3

기술: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

기술: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

기술: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

제조업체: Vishay Siliconix
유품
RFQ
SIHD7N60ET4-GE3

SIHD7N60ET4-GE3

기술: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

기술: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIHD7N60E-E3

SIHD7N60E-E3

기술: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
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