Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > SIHG44N65EF-GE3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3321417SIHG44N65EF-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHG44N65EF-GE3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$11.33
10+
$10.195
100+
$8.382
500+
$7.023
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SIHG44N65EF-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247AC
  • 연속
    E
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    73 mOhm @ 22A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    417W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    5892pF @ 100V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    278nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    650V
  • 상세 설명
    N-Channel 650V 46A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    46A (Tc)
SIHG47N60E-GE3

SIHG47N60E-GE3

기술: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG40N60E-GE3

SIHG40N60E-GE3

기술: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG64N65E-GE3

SIHG64N65E-GE3

기술: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG33N65EF-GE3

SIHG33N65EF-GE3

기술: MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

기술: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG47N60AE-GE3

SIHG47N60AE-GE3

기술: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG35N60E-GE3

SIHG35N60E-GE3

기술: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG61N65EF-GE3

SIHG61N65EF-GE3

기술: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

기술: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

제조업체: Vishay Siliconix
유품
SIHG32N50D-E3

SIHG32N50D-E3

기술: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG47N60AEL-GE3

SIHG47N60AEL-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 600V

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3

기술: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3

기술: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG47N60EF-GE3

SIHG47N60EF-GE3

기술: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG70N60AEF-GE3

SIHG70N60AEF-GE3

기술: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG460B-GE3

SIHG460B-GE3

기술: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG33N60E-E3

SIHG33N60E-E3

기술: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG32N50D-GE3

SIHG32N50D-GE3

기술: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG33N60EF-GE3

SIHG33N60EF-GE3

기술: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIHG47N65E-GE3

SIHG47N65E-GE3

기술: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오