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3352608SIR418DP-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR418DP-T1-GE3

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1000+
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규격
  • 제품 모델
    SIR418DP-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SIR418DP-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® SO-8
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    5 mOhm @ 20A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    39W (Tc)
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® SO-8
  • 다른 이름들
    SIR418DP-T1-GE3DKR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2410pF @ 20V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    40V
  • 상세 설명
    N-Channel 40V 40A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    40A (Tc)

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SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIR432DP-T1-GE3

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기술: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIR402DP-T1-GE3

SIR402DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIR404DP-T1-GE3

SIR404DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIR422DP-T1-GE3

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기술: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIR436DP-T1-GE3

SIR436DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

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SIR408DP-T1-GE3

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기술: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

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기술: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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기술: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIR464DP-T1-GE3

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기술: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

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RFQ
SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

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SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIR440DP-T1-GE3

SIR440DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

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SIR460DP-T1-GE3

SIR460DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIR406DP-T1-GE3

SIR406DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

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SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

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SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

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