SIR890DP-T1-GE3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품

$3.34

10+

$3.018

100+

$2.425

500+

$1.886

1000+

$1.563

온라인 문의

규격

제품 모델

SIR890DP-T1-GE3
제조업체 / 브랜드

Electro-Films (EFI) / Vishay
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

SIR890DP-T1-GE3.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.6V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

PowerPAK® SO-8
연속

TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

2.9 mOhm @ 10A, 10V
전력 소비 (최대)

5W (Ta), 50W (Tc)
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8
다른 이름들

SIR890DP-T1-GE3CT
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2747pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

20V
상세 설명

N-Channel 20V 50A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

다음은 "SIR890DP-T1-GE3"관련 제품입니다.

SIR880DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIR882ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIR888DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIR876DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIR928-6C-F

기술: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

제조업체: Everlight Electronics

유품

RFQ

SIRA06DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIR880ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIR892DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIR878DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIRA01DP-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIR878BDP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIRA00DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIR878ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIRA02DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIRA04DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIR876ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIRA00DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIRA10DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIR882DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SIRA10BDP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 30V

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

사전 등록

SIR890DP-T1-GE3

온라인 가격 조회

참고 가격 (미국 달러 기준)

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

아마존

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

SIR880DP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3

SIR888DP-T1-GE3

SIR876DP-T1-GE3

SIR928-6C-F

SIRA06DP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

SIR892DP-T1-GE3

SIR878DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

SIR878BDP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

SIR878ADP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

SIR876ADP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

SIR882DP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

언어 선택

현재 언어