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6908975SIRA14DP-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA14DP-T1-GE3

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1000+
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규격
  • 제품 모델
    SIRA14DP-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.SIRA14DP-T1-GE3.pdf
    2.SIRA14DP-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    +20V, -16V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® SO-8
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    5.1 mOhm @ 10A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® SO-8
  • 다른 이름들
    SIRA14DP-T1-GE3CT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1450pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 58A (Tc) 3.6W (Ta), 31.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    58A (Tc)

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SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 30V

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 30V

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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