Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > SIRA54DP-T1-GE3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
4229285SIRA54DP-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA54DP-T1-GE3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$1.55
10+
$1.373
100+
$1.085
500+
$0.842
1000+
$0.665
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SIRA54DP-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    +20V, -16V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® SO-8
  • 연속
    TrenchFET® Gen IV
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2.35 mOhm @ 15A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    36.7W (Tc)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® SO-8
  • 다른 이름들
    SIRA54DP-T1-GE3CT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    5300pF @ 20V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    48nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    40V
  • 상세 설명
    N-Channel 40V 60A (Tc) 36.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    60A (Tc)
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA58DP-T1-GE3

SIRA58DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA72DP-T1-GE3

SIRA72DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA64DP-T1-GE3

SIRA64DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA50DP-T1-RE3

SIRA50DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA80DP-T1-RE3

SIRA80DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA64DP-T1-RE3

SIRA64DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA66DP-T1-GE3

SIRA66DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA60DP-T1-RE3

SIRA60DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA52DP-T1-RE3

SIRA52DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA58ADP-T1-RE3

SIRA58ADP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CH 40V

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3

기술: MOSFET N-CHAN 30V

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오