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905823SISA96DN-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SISA96DN-T1-GE3

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유품
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규격
  • 제품 모델
    SISA96DN-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SISA96DN-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    +20V, -16V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® 1212-8
  • 연속
    TrenchFET® Gen IV
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    8.8 mOhm @ 10A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    26.5W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® 1212-8
  • 다른 이름들
    SISA96DN-T1-GE3TR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1385pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 16A (Tc) 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    16A (Tc)

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SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

기술: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

기술: SMALL SIGNAL+P-CH

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

기술: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

기술: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

기술: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

기술: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

기술: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
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