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3840499SISS04DN-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SISS04DN-T1-GE3

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유품
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$1.003
1000+
$0.792
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규격
  • 제품 모델
    SISS04DN-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SISS04DN-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    +16V, -12V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® 1212-8S
  • 연속
    TrenchFET® Gen IV
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.2 mOhm @ 15A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    5W (Ta), 65.7W (Tc)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® 1212-8S
  • 다른 이름들
    SISS04DN-T1-GE3CT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    4460pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    93nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 50.5A (Ta), 80A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    50.5A (Ta), 80A (Tc)

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SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

기술: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISNAP915EK

SISNAP915EK

기술: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

기술: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

기술: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISH434DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SISNAP915DK

SISNAP915DK

기술: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
RFQ
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
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