Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 > SQ9945BEY-T1_GE3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
2306310

SQ9945BEY-T1_GE3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$1.20
10+
$1.065
100+
$0.842
500+
$0.653
1000+
$0.515
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SQ9945BEY-T1_GE3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 250µA
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SO
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    64 mOhm @ 3.4A, 10V
  • 전력 - 최대
    4W
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    SQ9945BEY-T1_GE3DKR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    470pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET 유형
    2 N-Channel (Dual)
  • FET 특징
    Logic Level Gate
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.4A 4W Surface Mount 8-SO
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    5.4A
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

기술: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
CSD87331Q3D

CSD87331Q3D

기술: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
JANTXV2N7334

JANTXV2N7334

기술: MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

제조업체: Microsemi Corporation
유품
NDS9925A

NDS9925A

기술: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8-SOIC

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
IRF7509TR

IRF7509TR

기술: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
SQ9945AEY-T1-E3

SQ9945AEY-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7218DN-T1-GE3

SI7218DN-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
AO4826

AO4826

기술: MOSFET 2N-CH 60V 6.3A 8-SOIC

제조업체: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
유품
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
QS8M11TCR

QS8M11TCR

기술: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
BUK7K8R7-40EX

BUK7K8R7-40EX

기술: MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK

제조업체: Nexperia
유품
IRF5810

IRF5810

기술: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
APTML502UM90R020T3AG

APTML502UM90R020T3AG

기술: MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3

제조업체: Microsemi
유품
FDMC8032L

FDMC8032L

기술: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
SIZ916DT-T1-GE3

SIZ916DT-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
STZD3155CT1G

STZD3155CT1G

기술: MOSFET N/P-CH 20V 540MA SOT563

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
SI7940DP-T1-GE3

SI7940DP-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
QS8J4TR

QS8J4TR

기술: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
SQ9407EY-T1_GE3

SQ9407EY-T1_GE3

기술: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
TSM680P06DPQ56 RLG

TSM680P06DPQ56 RLG

기술: MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오