Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > SQD70140EL_GE3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
5814437SQD70140EL_GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD70140EL_GE3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
2000+
$0.512
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SQD70140EL_GE3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-252AA
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    15 mOhm @ 30A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    71W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 다른 이름들
    SQD70140EL_GE3TR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2100pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    N-Channel 100V 30A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    30A (Tc)
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

기술: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD50P08-25L_GE3

SQD50P08-25L_GE3

기술: MOSFET P-CHAN 80V TO252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD50N04-5M6L_GE3

SQD50N04-5M6L_GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

기술: MOSFET P-CHAN 100V TO252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 50A TO252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

기술: MOSFET N-CH 60V 50A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD50N10-8M9L_GE3

SQD50N10-8M9L_GE3

기술: MOSFET N-CHAN 100V TO252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3

기술: MOSFET P-CH 40V 50A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3

기술: MOSFET P-CH 40V 50A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD97N06-6M3L_GE3

SQD97N06-6M3L_GE3

기술: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD50P03-07_GE3

SQD50P03-07_GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3

기술: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

기술: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD50P08-28_GE3

SQD50P08-28_GE3

기술: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD50N04-5M6_T4GE3

SQD50N04-5M6_T4GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD50P06-15L_GE3

SQD50P06-15L_GE3

기술: MOSFET P-CH 60V 50A TO252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오