Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 > SQJ262EP-T1_GE3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1725684SQJ262EP-T1_GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ262EP-T1_GE3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$1.34
10+
$1.19
100+
$0.94
500+
$0.729
1000+
$0.576
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SQJ262EP-T1_GE3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 250µA
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
  • 전력 - 최대
    27W (Tc), 48W (Tc)
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • 다른 이름들
    SQJ262EP-T1_GE3DKR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    10nC @ 10V, 23nC @ 10V
  • FET 유형
    2 N-Channel (Dual)
  • FET 특징
    Standard
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A (Tc), 40A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    15A (Tc), 40A (Tc)
SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3

기술: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ244EP-T1_GE3

SQJ244EP-T1_GE3

기술: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ148EP-T1_GE3

SQJ148EP-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 15A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

기술: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ410EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

기술: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ403EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ158EP-T1_GE3

SQJ158EP-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 60V 23A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3

기술: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ260EP-T1_GE3

SQJ260EP-T1_GE3

기술: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

기술: MOSFET P-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오