SQM120P06-07L_GE3

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제품 모델

SQM120P06-07L_GE3
제조업체 / 브랜드

Electro-Films (EFI) / Vishay
재고 수량

유품
기술

MOSFET P-CH 60V 120A TO263
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

SQM120P06-07L_GE3.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.5V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)
연속

TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

6.7 mOhm @ 30A, 10V
전력 소비 (최대)

375W (Tc)
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들

SQM120P06-07L_GE3CT
작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14280pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

60V
상세 설명

P-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

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제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: RES WW 2W 5% TH

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기술: RES WW 2W 5% TH

제조업체: Yageo

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기술: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SQM200JB-0R15

기술: RES WW 2W 5% TH

제조업체: Yageo

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기술: RES WW 2W 5% TH

제조업체: Yageo

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기술: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

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기술: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: RES WW 2W 5% TH

제조업체: Yageo

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기술: MOSFET P-CH 100V 120A TO263

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SQM200JB-0R22

기술: RES WW 2W 5% TH

제조업체: Yageo

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SQM200JB-0R1

기술: RES WW 2W 5% TH

제조업체: Yageo

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SQM200JB-0R11

기술: RES WW 2W 5% TH

제조업체: Yageo

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기술: RES WW 2W 5% TH

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