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SQM50020EL_GE3
제조업체 / 브랜드
Electro-Films (EFI) / Vishay
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유품
기술
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
무연 여부 / RoHS 준수 여부
사양서
SQM50020EL_GE3.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)
2.5V @ 250µA
Vgs (최대)
±20V
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지
TO-263 (D²Pak)
연속
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
2 mOhm @ 30A, 10V
전력 소비 (최대)
375W (Tc)
포장
Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
15100pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
200nC @ 10V
FET 유형
N-Channel
FET 특징
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)
60V
상세 설명
N-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
120A (Tc)
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