Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 > SQS944ENW-T1_GE3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
5217865

SQS944ENW-T1_GE3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$1.08
10+
$0.946
100+
$0.73
500+
$0.541
1000+
$0.433
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SQS944ENW-T1_GE3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CHAN 40V
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 250µA
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® 1212-8W
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    25 mOhm @ 1.25A, 10V
  • 전력 - 최대
    27.8W (Tc)
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® 1212-8W
  • 다른 이름들
    SQS944ENW-T1_GE3DKR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    615pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • FET 유형
    2 N-Channel (Dual)
  • FET 특징
    Standard
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    40V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    6A (Tc)
SQS482ENW-T1_GE3

SQS482ENW-T1_GE3

기술: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS405ENW-T1_GE3

SQS405ENW-T1_GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQSA80ENW-T1_GE3

SQSA80ENW-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 80V 18A POWERPAK1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS484ENW-T1_GE3

SQS484ENW-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 16A POWERPAK1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS484EN-T1_GE3

SQS484EN-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS460EN-T1_GE3

SQS460EN-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 60V 8A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS423EN-T1_GE3

SQS423EN-T1_GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS24B5001GSLF

SQS24B5001GSLF

기술: RES ARRAY 23 RES 5K OHM 24SSOP

제조업체: BI Technologies / TT Electronics
유품
SQS966ENW-T1_GE3

SQS966ENW-T1_GE3

기술: MOSFET N-CHAN 60V

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS460ENW-T1_GE3

SQS460ENW-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS850EN-T1_GE3

SQS850EN-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS462EN-T1_GE3

SQS462EN-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS482EN-T1_GE3

SQS482EN-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS405EN-T1_GE3

SQS405EN-T1_GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS401ENW-T1_GE3

SQS401ENW-T1_GE3

기술: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS481ENW-T1_GE3

SQS481ENW-T1_GE3

기술: MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS401EN-T1_GE3

SQS401EN-T1_GE3

기술: MOSFET P-CH 40V 16A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS420EN-T1_GE3

SQS420EN-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 8A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SQS24B5101GSLF

SQS24B5101GSLF

기술: RES ARRAY 23 RES 5.1K OHM 24SSOP

제조업체: BI Technologies / TT Electronics
유품
SQS840EN-T1_GE3

SQS840EN-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 16A TO263

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오