Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > SUB75P03-07-E3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3428464SUB75P03-07-E3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SUB75P03-07-E3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$5.01
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SUB75P03-07-E3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 30V 75A D2PAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-263 (D2Pak)
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    7 mOhm @ 30A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    3.75W (Ta), 187W (Tc)
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 다른 이름들
    SUB75P03-07-E3DKR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    9000pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    240nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    P-Channel 30V 75A (Tc) 3.75W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    75A (Tc)
SUB10693R

SUB10693R

기술: POWER SUPPLY CODING KEY

제조업체: Birtcher / Pentair
유품
SUB-GRF1-04-S

SUB-GRF1-04-S

기술: RF CABLE JACK

제조업체: Samtec, Inc.
유품
DMP2123LQ-13

DMP2123LQ-13

기술: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
유품
SUB16396

SUB16396

기술: ACCY SUB MISC SHOCK SPRING

제조업체: Laird Technologies - Antennas
유품
DMP213DUFA-7B

DMP213DUFA-7B

기술: MOSFET P-CH 25V 0.145A SOT-26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
SPP02N80C3XKSA1

SPP02N80C3XKSA1

기술: MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
AO4482L_102

AO4482L_102

기술: MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC

제조업체: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
유품
JANTXV2N7228

JANTXV2N7228

기술: MOSFET N-CH

제조업체: Microsemi
유품
IXFK32N80Q3

IXFK32N80Q3

기술: MOSFET N-CH 800V 32A TO-264

제조업체: IXYS Corporation
유품
SIHP28N65E-GE3

SIHP28N65E-GE3

기술: MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IRFR1010ZPBF

IRFR1010ZPBF

기술: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
유품
STS17NH3LL

STS17NH3LL

기술: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
유품
IRFHM831TRPBF

IRFHM831TRPBF

기술: MOSFET N-CH 30V 14A PQFN

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

기술: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
GP2M005A050FG

GP2M005A050FG

기술: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

기술: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
BFL4001-1E

BFL4001-1E

기술: MOSFET N-CH 900V 4.1A

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
SUBARCTICBDEVZCZ

SUBARCTICBDEVZCZ

기술: EVAL BOARD FOR SUBARCTIC

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
JANTXV2N6898

JANTXV2N6898

기술: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3

제조업체: Microsemi
유품
SUBF2030

SUBF2030

기술: EXTERNAL BATTERY FRAME SELECT

제조업체: Tripp Lite
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오